挪威科技大學(xué)（NTNU）研究小組開發(fā)了一種使用半導(dǎo)體納米線材料制造超高效率太陽(yáng)能電池的方法。如將其用于傳統(tǒng)的硅基太陽(yáng)能電池，這一方法有望以低成本將當(dāng)今硅太陽(yáng)能電池的效率提高一倍。該研究論文發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)期刊《ACS光子學(xué)》上。新技術(shù)主要開發(fā)者、NTNU博士研究生安詹·穆克吉表示，他們的新方法以非常有效的方式，利用砷化鎵材料以及納米結(jié)構(gòu)完成。砷化鎵因其非凡的光吸收和電氣特性而成為制造高效太陽(yáng)能電池的最佳材料，通常用于制造太空太陽(yáng)能電池板。然而，高質(zhì)量砷化鎵太陽(yáng)能電池組件的制造成本相當(dāng)高。近年來人們意識(shí)到，與標(biāo)準(zhǔn)平面太陽(yáng)能電池相比，納米線結(jié)構(gòu)可潛在地提高太陽(yáng)能電池的效率，所用的材料也更少。

     砷化鎵太陽(yáng)能電池通常生長(zhǎng)在厚且昂貴的砷化鎵基板上，幾乎沒有降低成本的空間。新方法則在廉價(jià)的硅平臺(tái)上使用垂直站立的半導(dǎo)體納米線陣列結(jié)構(gòu)來生長(zhǎng)納米線。威曼教授解釋說。研究人員使用分子束外延的方法來生長(zhǎng)納米線，通過適當(dāng)?shù)耐顿Y和工業(yè)規(guī)模的研發(fā)項(xiàng)目，這項(xiàng)技術(shù)的開發(fā)可具有直接成本效益。研究人員表示，將該產(chǎn)品集成在硅電池之上，可將太陽(yáng)能電池效率提高到40%，與當(dāng)今商用硅太陽(yáng)能電池相比，這意味著效率翻了一番。利用新方法進(jìn)行調(diào)整，使納米線在不同的基板上生長(zhǎng)，還可能為許多其他應(yīng)用打開大門。

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